Южнокорейская компания Samsung Electronics начала массовое производство одногигабитных микросхем памяти DDR2 Dynamic Random-Access Memory (DRAM). По утверждениям производителя, новые чипы являются первыми на рынке микросхемами DRAM емкостью в 1 Гбит, изготавливающимися по нормам 90-нанометровой технологии.
Предполагается, что в течение ближайших двух лет одногигабитные чипы DDR2 DRAM станут наиболее востребованным продуктом в соответствующем сегменте рынка памяти. Компания Samsung выделяет следующие преимущества новых микросхем: низкое энергопотребление, небольшой уровень тепловыделения и хорошие электрические характеристики. В целом, по производительности представленные чипы превосходят любые другие микросхемы DRAM, доступные на рынке в настоящее время.
Микросхемы Samsung DDR2 DRAM, выпускающиеся по нормам 90-нанометрового техпроцесса, уже прошли успешные испытания в лабораториях корпорации Intel. К четвертому кварталу текущего года Samsung рассчитывает увеличить объемы выпуска чипов DRAM по 90-нанометровой технологии до одного миллиона штук в месяц. Кстати, согласно оценкам аналитиков Dataquest, к 2008 году объем рынка одногигабитных чипов DRAM достигнет отметки в 17 миллиардов долларов по сравнению с 1,3 миллиарда долларов США в текущем году.
Источник http://www.compulenta.ru
0-800-RISCOM*
174413207
вперёд